Η πρώτη DDR5 μνήμη RAM των 512GB είναι γεγονός δια χειρός Samsung

Μέσα από την επίσημη ιστοσελίδα της, η Samsung ανακοίνωσε την πρώτη 512GB DDR5 μνήμη RAM της βιομηχανίας, βασισμένη στην High-K Metal Gate (HKMG) τεχνολογία.

Το εν λόγω module προσφέρει περισσότερη από διπλάσια ταχύτητα από τις DDR4 μνήμες, με έως και 7,200 megabits per second (Mbps) και είναι ικανό να ανταπεξέλθει ακόμη και στα πιο απαιτητικά φόρτα εργασίας του supercomputing, τα οποία απαιτούν τεράστιες compute δυνατότητες και high-bandwidth, όπως για παράδειγμα η τεχνητή νοημοσύνη (AI) ή το machine learning (ML).

Ο Young-Soo Sohn, αντιπρόεδρος του DRAM Memory Planning/Enabling Group της Samsung Electronics, δήλωσε:

Η Samsung είναι η μοναδική εταιρεία ημιαγωγών με δυνατότητες κατασκευής λογικών επεξεργαστών και μνημών και την τεχνογνωσία για την ενσωμάτωση της τεχνολογίας αιχμής HKMG και στην ανάπτυξη προϊόντων μνήμης. Φέρνοντας αυτό το είδος καινοτομίας στην κατασκευή των DRAM, είμαστε σε θέση να προσφέρουμε στους πελάτες μας λύσεις υψηλής απόδοσης, οι οποίες είναι συγχρόνως ενεργειακά αποδοτικές, για την τροφοδοσία των υπολογιστών που απαιτούνται για την ιατρική έρευνα, τις χρηματοπιστωτικές αγορές, την αυτόνομη οδήγηση, τις έξυπνες πόλεις κ.α.

Οι DDR5 μνήμες της Samsung θα κάνουν χρήση της HKMG τεχνολογίας που παραδοσιακά συναντούσαμε στους επεξεργαστές. Ο νέος αυτός τύπος μνήμης θα καταναλώνει 13% λιγότερη ενέργεια, κάτι που τον καθιστά ιδανικό για datacenters. Παράλληλα, για να πετύχει αυτό το τεράστιο μέγεθος, η Samsung αξιοποίησε ξανά και την through-silicon via (TSV) τεχνολογία, για να στοιβάξει οκτώ στρώσεις από 16Gb DRAM chips και να φτάσει τα 512GB. Η Samsung είχε κάνει κάτι αντίστοιχο το 2014, προσφέροντας DDR4 μνήμες των 256GB.

Σίγουρα η νέα πρόταση της εταιρίας μοιάζει ιδανική για servers, αλλά προφανώς απέχουμε ακόμη αρκετά από ένα προϊόν για το ευρύ καταναλωτικό κοινό. Το μόνο σίγουρο είναι πως με μία τέτοια μνήμη, δε θα σας άγχωνε πλέον ο λαίμαργος Chrome...