Σπάζοντας το φράγμα του Moore

«Ο νόμος του Gordon Moore αναφέρεται στην παρατήρηση του ότι το πλήθος των τρανζίστορ σε ένα πυκνό, κλειστό κύκλωμα, διπλασιάζεται κάθε δύο χρόνια κατά προσέγγιση».

Κατά την διάρκεια του φετινού Samsung Foundry Forum, η εταιρία κολοσσός ανακοίνωσε τους στόχους και το όραμά της σχετικά με το μέλλον της λιθογραφίας των επεξεργαστών της. Μέσω αυτού, προέβη στην παρουσίαση της Extreme Ultraviolet λιθογραφίας (EUV) που θα χρησιμοποιηθεί για την κατασκευή των 7nm, 6nm, 5nm καθώς και 4nm επεξεργαστών της.

Αναλυτικά:

• 18nm FD-SOI (Fully Depleted – Silicon on Insulator), επεκτείνοντας την 28FDS διαδικασία και προσφέροντας RF και ενσωματωμένη μαγνητική μνήμη (e(MRAM).
• 8nm LPP (Low Power Plus), αποτελώντας ουσιαστικά την τελευταία γενιά πριν την χρήση της EUV λιθογραφίας και με πυκνότητα αντίστοιχη της 10 LPP τεχνολογίας.
• 7nm LPP, η πρώτη γενικά επεξεργαστών με χρήση της EUV λιθογραφίας, μιας τεχνολογίας που σπάει τα όρια της κλιμάκωσης του νόμου του Moore και θα βάλει τις βάσεις για τις γενιές των επεξεργαστών του 1nm.
• 6nm LPP, μια έκδοση που θα επιτρέψει τη βελτίωση της 7 LPP.
• 5nm LPP, η τελευταία γενιά επεξεργαστών της εταιρίας που θα κάνει χρήση της δομής FinFET καθότι αγγίζει τα φυσικά της όρια.
• 4nm LPP, η πρώτη γενιά της Samsung που θα κάνει χρήση της νέας δομής τρανζίστορ GAAFET (Gate All Around FET), της δικιάς της εκδοχής του MBCGET (Multi Bridge Channel FET). Η τεχνολογία κάνει χρήση μιας "Nanosheet" συσκευής για να ξεπεράσει τους περιορισμούς της FinFet.

Η μετάβαση αυτή της Samsung θα επιτρέψει ταχύτερους, πιο αποδοτικούς επεξεργαστές στις συσκευές μας, ενώ ο ανταγωνισμός μόνο καλό αποτέλεσμα θα φέρει στους καταναλωτές.