Σε ανάπτυξη RAM 128GB DDR4

Η SK Hynix ανακοίνωσε πώς αναπτύσσει κάρτες RAM τύπου DDR4 στα 128GB. Σύμφωνα με τη κορεάτικη εταιρία τα νέα modules μνήμης θα βασίζονται στη τεχνολογία Through Silicon Via(TSV), η οποία θα βελτιώνει αισθητά την ταχύτητα και την αντοχή, ενώ θα επιτρέπει καλύτερη ηλεκτρική απόδοση. Η ταχύτητα της εν λόγω κάρτας μνήμης θα αγγίζει τα 2.133MHz σε σχέση με τα 1333MHz των DDR3 και θα καταναλώνει 1.2V έναντι 1.35V. Τις πρώτες κάρτες μνήμης 128GB DDR4 θα τις δούμε μετά το πρώτο μισό του 2015.