V-NAND τεχνολογία με 64-layers ανακοίνωσε η Samsung

Σε event που έλαβε χώρα πριν λίγες ημέρες, η Samsung ανακοίνωσε την αναβαθμισμένη τεχνολογία V-NAND των 64-layers, η οποία θα χρησιμοποιηθεί για την κατασκευή μελλοντικών SSDs. Πλέον, σε κάθε layer του V-NAND chip μπορούν να χωρέσουν έως και 512GB χώρου αποθήκευσης, ενώ αυξημένος εμφανίζεται και ο χρόνος μεταφοράς των δεδομένων, ο οποίος αγγίζει τα 100MB/s για κάθε layer του chip.

Οι SSDs της εταιρίας με την νέα τεχνολογία θα κάνουν την εμφάνιση τους στο τέταρτο τρίμηνο του έτους, με τον πρώτο από αυτούς να διαθέτει μέγεθος 32TB και 2.5 ίντσες form factor, ενώ μέχρι το 2020 προγραμματίζεται να κατασκευαστεί SAS SSD στις 2.5 ίντσες με μέγεθος 100ΤΒ. Παράλληλα, η νοτιοκορεάτικη εταιρία ανακοίνωσε και την νέα σειρά Z-SSD που απευθύνεται στους καταναλωτές, η οποία διαθέτει ανασχεδιασμένο κύκλωμα και νέο controller, χαρίζοντάς της έτσι 4 φορές λιγότερο latency και 1.6 φόρες γρηγορότερες ταχύτητες εγγραφής/ανάγνωσης από τους ήδη πολύ γρήγορους PM963 NVMe SSDs της εταιρίας.

Τέλος, οι Z-SSDs αναμένεται να γίνουν διαθέσιμοι μέσα στο 2017.